碳化硅衬底全球龙头：天岳先进 SICC Co., Ltd.(2631)

山东天岳先进科技股份有限公司 SICC Co., Ltd.(港交所:02631、上交所科创板:688234)创立于2010年，总部位于中国山东济南槐荫区天岳南路99号，是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业。公司自成立起就只做一件事：高品质碳化硅衬底的研发与产业化，手握覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工到质量检验全环节的核心技术，是全球第一家实现12英寸碳化硅衬底量产的公司。公司实际控制人为董事长兼总经理宗艳民，现有全职员工约1249人。

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天岳先进 SICC Co., Ltd.(2631)港股百科

天岳先进是一家专注于碳化硅衬底的第三代半导体材料公司。碳化硅是宽禁带半导体材料的代表，相比传统硅材料禁带宽度更大、热导率更高、击穿电场强度更高，做出来的功率器件可以承受更高电压、更高温度、更高频率，导通电阻还更低。天岳先进做的就是这块“地基材料”——碳化硅单晶衬底，下游做成功率器件后，广泛用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、电网、家用电器，以及AI数据中心、5G通信基站、微波射频器件和AI眼镜等新兴领域。调研机构富士经济2026年3月发布的报告测算，公司2025年导电型碳化硅衬底全球市占率约27.6%，排名全球第一；6英寸产品市占率27.5%，8英寸产品市占率51.3%，是中国第一家在高阶尺寸段登顶的企业。公司客户网络覆盖全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的企业，与英飞凌、博世等国际大厂签有长期供货协议。

公司的产品和服务围绕碳化硅衬底全尺寸矩阵展开：

导电型(N型)碳化硅衬底：功率电子领域的核心材料，量产尺寸从2英寸起步，逐步迭代到4、6、8英寸。2024年公司推出业内首款12英寸导电型碳化硅衬底，2025年实现2至12英寸全系列量产，把整个行业带进了12英寸时代。
半绝缘型碳化硅衬底：主要面向微波射频电子领域，公司较早在国内实现产业化，是5G通信基站等射频器件的上游关键材料。
液相法P型碳化硅衬底：2024年推出，为碳化硅衬底打开新的工艺路线。
新形态产品：光学衬底、先进封装散热中介层等取得关键技术突破，关键生产设备也在推进国产化替代，从原料到成品实现全过程自主可控。

此外，公司还从事技术开发、技术咨询与推广服务，生产石墨及碳素制品、宽禁带半导体衬底材料，研发特种电子材料，以及投资业务。

财务上，公司2024年实现营业收入17.68亿元，同比增长41.37%，归母净利润1.79亿元，一举扭亏为盈。进入2025年，受碳化硅衬底市场价格下行、大尺寸产品新应用开拓费用和研发投入增加等因素影响，公司预计2025年全年营收14.5亿元至15.0亿元，同比下降约15%至18%，归母净利润预计亏损1.85亿元至2.25亿元。2026年上半年，公司实现营收9.14亿元，同比增长15.10%，归母净利润亏损5861.66万元，降价换市场的策略仍在兑现过程中。

天岳先进 SICC Co., Ltd.(2631)历史百科

2010年11月2日，公司在山东济南注册成立，注册资本6000万元，原名“山东天岳先进材料科技有限公司”，一开始就瞄准碳化硅衬底的研发和产业化。
2014年，公司获山东省技术发明一等奖，核心技术得到省级层面认可。
2015年，公司济南总部新厂区建成投产，产能和研发条件同步升级。
2019年，公司半绝缘型碳化硅衬底全球市占率超过15%，开始在国际市场上站稳脚跟。
2020年，公司完成股份制改制，中文名变更为“山东天岳先进科技股份有限公司”，英文名由SICC Materials Co., Ltd.变更为SICC Co., Ltd.。
2021年，公司获评国家级制造业单项冠军企业。
2022年，公司在上海证券交易所科创板挂牌上市，股票代码688234；同年8英寸产品研制成功。
2023年，公司上海工厂开始向客户批量交付产品，产能布局从济南扩展到上海。
2024年，公司推出全球首款12英寸碳化硅衬底，同时发布液相法P型碳化硅衬底，技术上领先行业一个身位。
2025年，公司完成12英寸碳化硅衬底全系列产品矩阵的全球首发；8月20日，公司在香港联交所主板挂牌上市，股票代码2631，成为中国第一家A+H两地上市的碳化硅衬底企业。

天岳先进 SICC Co., Ltd.(2631)港股投资

天岳先进是A+H两地上市的碳化硅衬底龙头，技术上是全球第一个做出12英寸碳化硅衬底的公司，市占率已经登顶。需要留意的是，碳化硅衬底价格这两年下行明显，公司主动降价抢份额，2025年预计转亏，2026年上半年仍在亏损，业绩兑现要看大尺寸衬底放量和价格企稳的节奏。公司属于典型的周期+技术双驱动品种，适合对半导体材料周期有判断、能承受波动的投资者跟踪。